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新品發布 | Nexperia新型40 V低RDS(on) MOSFET助力汽車和工業應用實現更高功率密度

日期:2021-05-27 作者:安世半導體 返回列表

近日,基礎半導體器件領域的專家 Nexperia(安世半導體)宣布推出新型 0.55 m? RDS(on) 40 V 功率 MOSFET,該器件采用高可靠性的 LFPAK88 封裝,適用于汽車(BUK7S0R5-40H)和工業(PSMNR55-40SSH)應用。這些器件是Nexperia(安世半導體)所生產的 RDS(on)  值最低的 40 V 器件,更重要的是,它們提供的功率密度相比傳統 D2PAK 器件提高了 50 倍以上。此外,這些新型器件還可在雪崩和線性模式下提供更高的性能,從而提高了耐用性和可靠性。


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Nexperia 產品市場經理 Neil Massey 評論道:


新型 8 x 8 mm LFPAK88 MOSFET 將最新的高性能超結硅技術與成熟的 LFPAK 銅夾片技術相結合,后者因提供顯著的電氣性能和熱性能而著稱。低 RDS(on) 能夠讓我們將更多芯片封入在封裝中,從而提高功率密度,縮小器件管腳尺寸。


這些新型功率 MOSFET 的尺寸僅為 8 x 8 x 1.7 mm,具有領先的線性模式/安全工作區域(SOA)特性,可在大電流條件下安全可靠地開關工作。在 1 ms、20 VDS 的工作條件下,由于芯片和封裝的組合,SOA 為 35 A,而在 10 ms、20 VDS 的工作條件下,此時封裝將起主導作用,SOA 為 17 A。這些數據優于競品 1.5 倍至 2 倍。這些器件還提供最佳單脈沖雪崩額定值(EAS)2.3 J 以及超強 ID 電流額定值 500 A,與其他競品不同的是,該值是測量得出的極限,而非理論上的極限。 


憑借 Nexperia(安世半導體)的 8 x 8 mm LFPAK88 MOSFET 在尺寸和性能方面的優勢,設計人員能夠用一個新型 LFPAK88 替換兩個并行老式器件,從而簡化制造和提高可靠性。符合 AEC-Q101 標準的 BUK7S0R5-40H 器件提供超出車規標準要求兩倍的可靠性,適合制動、助力轉向、電池防反保護、e-fuse、DC-DC 轉換器和電機控制應用。工業 PSMNR55-40SSH MOSFET 適合電動工具、電器、風扇、電動自行車、滑板車和輪椅中的電池隔離、電流限制、e-fuse、電機控制、同步整流和負載開關應用。

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